三星表示，最快於2027年引進設備，該研發中心是為High-NA EUV而興建， ？（文光算谷歌seo光算谷歌推广章來源：財聯社）將根據市場狀況及客戶需求決定方向 。因需經過許可流程 ，最快將於20<光算谷歌seostrong>光算谷歌推广24年12月或2025年動工。目前High-NA EUV仍處於審查推出時機的階段，三星電子與ASML共同在韓國投資的半導體先進製程研發中心預計自2027年起引進High-NA 極紫外光（EUV）設備。總投光光算谷歌seo算谷歌推广資金額1兆韓元，